AO4404B ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
                                                Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.1A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 7.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 23+ | 19.40 грн | 
| 40+ | 10.16 грн | 
| 100+ | 8.97 грн | 
| 116+ | 8.02 грн | 
| 319+ | 7.62 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4404B ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції AO4404B за ціною від 8.95 грн до 23.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        AO4404B | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | 
            
                         Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.1A; 2W; SO8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC On-state resistance: 24mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 7.1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 2408 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
| 
             | 
        AO4404B | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
                      | 
        AO4404B | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
                      | 
        AO4404B | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
                      | 
        AO4404B | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

