AO4441 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.1A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.85 грн |
| 24+ | 17.37 грн |
| 27+ | 15.80 грн |
| 100+ | 15.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4441 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AO4441 за ціною від 17.70 грн до 78.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4441 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| AO4441 | Alpha? Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1120 @ 30, Qg, нКл = 20, Rds = 100 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| AO4441 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.08 грн |
| 10+ | 46.90 грн |
| 50+ | 34.67 грн |
| 100+ | 28.83 грн |
| 500+ | 22.31 грн |
| AO4441 |
|
Виробник: Alpha? Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1120 @ 30, Qg, нКл = 20, Rds = 100 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1120 @ 30, Qg, нКл = 20, Rds = 100 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.70 грн |