AO4441 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4441 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AO4441 за ціною від 6.76 грн до 74.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4441 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AO4441 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.1A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.1A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO4441 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.1A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.1A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AO4441 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V |
на замовлення 9123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AO4441 | Виробник : UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4441 UMW TAO4441 UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
AO4441 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin SOIC |
товару немає в наявності |