Продукція > UMW > AO4441
AO4441

AO4441 UMW

TAO4441_UMW_UMW_0001.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO4441 UMW TAO4441 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4441 UMW

Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AO4441 за ціною від 12.88 грн до 66.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AO4441 AO4441 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4441.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441 Alpha & Omega Semiconductor ao4441.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441 Alpha & Omega Semiconductor ao4441.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4441-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.1A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.01 грн
24+17.45 грн
27+15.87 грн
100+15.12 грн
500+13.63 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4441.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.38 грн
100+26.38 грн
500+19.10 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 Alpha? Semiconductor AO4441.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1120 @ 30, Qg, нКл = 20, Rds = 100 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441.pdf
AO4441
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 ao4441.pdf
AO4441
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 ao4441.pdf
AO4441
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441-DTE.pdf
AO4441
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.1A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.01 грн
24+17.45 грн
27+15.87 грн
100+15.12 грн
500+13.63 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441.pdf
AO4441
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 30 V
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.79 грн
10+40.38 грн
100+26.38 грн
500+19.10 грн
1000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4441 AO4441.pdf
Виробник: Alpha? Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1120 @ 30, Qg, нКл = 20, Rds = 100 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.