AO4492 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOSGreenPolicy.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.19 грн
6000+17.08 грн
9000+16.37 грн
15000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4492 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AO4492 за ціною від 19.95 грн до 76.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AO4492 AO4492 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4492.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.4A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Drain current: 11.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.12 грн
15+28.59 грн
25+25.01 грн
100+23.18 грн
500+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4492 AO4492 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSGreenPolicy.pdf Description: MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 29440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.99 грн
100+30.23 грн
500+22.00 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4492 AO4492.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.4A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Drain current: 11.4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.12 грн
15+28.59 грн
25+25.01 грн
100+23.18 грн
500+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AO4492 AOSGreenPolicy.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 29440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.11 грн
10+45.99 грн
100+30.23 грн
500+22.00 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.