AO4611 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V, 2900pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.60 грн |
| 9000+ | 32.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4611 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V, 2900pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції AO4611 за ціною від 36.06 грн до 137.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC |
на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC |
на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V, 2900pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 14597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO4611 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.66 грн |
| 25+ | 44.94 грн |
| 100+ | 42.64 грн |
| 250+ | 38.84 грн |
| 500+ | 36.68 грн |
| 1000+ | 36.06 грн |
| AO4611 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 310+ | 45.66 грн |
| 315+ | 44.94 грн |
| 320+ | 44.22 грн |
| 326+ | 41.95 грн |
| 500+ | 38.20 грн |
| 1000+ | 36.06 грн |
| AO4611 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V, 2900pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V, 2900pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 14597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.17 грн |
| 10+ | 84.08 грн |
| 50+ | 63.31 грн |
| 100+ | 53.11 грн |
| 500+ | 42.05 грн |