AO4712


AO4403_1.jpg Виробник: AO
09+
на замовлення 2108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4712 AO

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.2A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AO4712

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO4712 Виробник : AO AO4403_1.jpg SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4712 Виробник : AO AO4403_1.jpg SOP-8
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4712 Виробник : AO AO4403_1.jpg SOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4712 Виробник : AOS AO4403_1.jpg 07PB
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4712 Виробник : AOS AO4403_1.jpg 07+ SOP-8
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4712 Виробник : AOSMD AO4403_1.jpg
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4712 AO4712
Код товару: 110636
AO4403_1.jpg Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
AO4712 AO4712 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4403_1.jpg Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товар відсутній
AO4712 AO4712 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4403_1.jpg Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.2A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
товар відсутній