AO4800L
Виробник: на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4800L
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції AO4800L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4800L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |