Продукція > AO > AO4812

AO4812

Виробник: AO
2004 SMD-8

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AO4812 AO

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції AO4812

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AO4812	Виробник : AO	SO-8	на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : AO	SOP-8	на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : AO	SOP8 09+	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : AOS	0802+	на замовлення 2448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : AOS	SO-8	на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : AOSMD		на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	AO4812 SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AO4812	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.