Технічний опис AO4826 AO
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції AO4826
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AO4826 | Виробник : AO |
 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO4826 | Виробник : AOSMD |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
AO4826 Код товару: 140370
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||
 |
AO4826 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |