AO4838 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4838 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції AO4838 за ціною від 11.32 грн до 83.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4838 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AO4838 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; 1.3W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC On-state resistance: 9.6mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 9A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO4838 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; 1.3W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC On-state resistance: 9.6mΩ Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 9A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO4838 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|