Технічний опис AO4924 AO
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції AO4924
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AO4924 | Виробник : AO |
 SO-8 |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
AO4924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A/7.3A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
AO4924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A/7.3A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|
 |
AO4924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
AO4924 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |