Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AO6409

AO6409 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Name: AO6409
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: 1856017-3
Price: 330.24 UAH
Availability: InStock

Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	41.28 грн
12+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AO6409 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V.

Інші пропозиції AO6409

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	AO6409	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.