AOB10B65M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOB10B65M1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263, Mounting: SMD, Case: TO263, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 30A, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 75W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 24nC, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції AOB10B65M1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOB10B65M1 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AOB10B65M1 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|
AOB10B65M1 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC |
товару немає в наявності |