AOB14N50

AOB14N50 Alpha & Omega Semiconductor


aot14n50.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 155200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB14N50 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOB14N50 за ціною від 24.99 грн до 45.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOB14N50 AOB14N50 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB14N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.32 грн
13+32.67 грн
20+28.47 грн
100+25.64 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50 AOB14N50 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB14N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.98 грн
8+40.71 грн
20+34.16 грн
100+30.76 грн
500+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50 AOB14N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO263.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50 AOB14N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO263.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.