AOB190A60CL

AOB190A60CL Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOTF190A60CL.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB190A60CL Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOB190A60CL за ціною від 109.67 грн до 249.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOB190A60CL AOB190A60CL Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF190A60CL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.88 грн
10+157.18 грн
100+109.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CL AOB190A60CL Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aotf190a60cl.pdf N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CL Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF190A60CL.pdf AOB190A60CL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.