Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOB190A60L
AOB190A60L

AOB190A60L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BB09E488F820&compId=AOB190A60L.pdf?ci_sign=a59ee145381755c624d29f680cdedeffdd47a414 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB190A60L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOB190A60L за ціною від 238.14 грн до 238.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOB190A60L AOB190A60L Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BB09E488F820&compId=AOB190A60L.pdf?ci_sign=a59ee145381755c624d29f680cdedeffdd47a414 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60L AOB190A60L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60L AOB190A60L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.