
AOB260L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 167.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOB260L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AOB260L за ціною від 158.80 грн до 245.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOB260L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263 Case: TO263 Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOB260L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AOB260L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AOB260L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AOB260L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |