Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOB27S60L
AOB27S60L

AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB27S60L.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+136.77 грн
1600+128.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AOB27S60L за ціною від 166.96 грн до 367.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOB27S60L AOB27S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB27S60L.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.35 грн
10+234.46 грн
100+166.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60L AOB27S60L.pdf
AOB27S60L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+367.35 грн
10+234.46 грн
100+166.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.