Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOB280L
AOB280L

AOB280L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOB280L.pdf
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Power dissipation: 166.5W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.50 грн
10+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB280L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V.

Інші пропозиції AOB280L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOB280L AOB280L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB280L.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280L AOB280L Alpha & Omega Semiconductor aot280l.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280L AOB280L.pdf
AOB280L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280L aot280l.pdf
AOB280L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.