Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOB282L
AOB282L

AOB282L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BB42F6C49820&compId=AOB282L.pdf?ci_sign=e3bb13d44bae500aff7dbe527302903050ff9ddc Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.16 грн
5+94.88 грн
10+83.12 грн
13+72.93 грн
35+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB282L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V.

Інші пропозиції AOB282L за ціною від 82.81 грн до 118.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOB282L AOB282L Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BB42F6C49820&compId=AOB282L.pdf?ci_sign=e3bb13d44bae500aff7dbe527302903050ff9ddc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.24 грн
10+99.74 грн
13+87.51 грн
35+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282L AOB282L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aob282l.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282L AOB282L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aob282l.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282L AOB282L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB282L.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.