Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOB286L
AOB286L

AOB286L Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB286L.pdf
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOB286L Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AOB286L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOB286L AOB286L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT286L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Power dissipation: 83W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286L AOB286L Alpha & Omega Semiconductor aot286l.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286L AOT286L-DTE.pdf
AOB286L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Power dissipation: 83W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286L aot286l.pdf
AOB286L
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.