AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 39.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AOB66616L за ціною від 95.26 грн до 219.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AOB66616L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263 Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
AOB66616L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263 Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO263 |
товару немає в наявності |