| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 154.19 грн |
| 85+ | 153.42 грн |
| 100+ | 147.19 грн |
| 250+ | 135.60 грн |
| 500+ | 129.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOB66916L Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOB66916L за ціною від 138.76 грн до 166.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOB66916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 N-Channel MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AOB66916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AOB66916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AOB66916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
AOB66916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
AOB66916L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
AOB66916L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK Power dissipation: 8.3W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 35.5A Drain-source voltage: 100V Technology: AlphaSGT™ Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 78nC On-state resistance: 3.6mΩ |
товару немає в наявності |