Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOC3862

AOC3862 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BB42F6D57820&compId=AOC3862.pdf?ci_sign=5961194d0ea8e9ab8c58d9ea892710edd8f483a0

Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 2.5W; DFN6; common drain
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Power dissipation: 2.5W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 5000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AOC3862 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 2.5W; DFN6; common drain, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 12V, Power dissipation: 2.5W, Case: DFN6, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: common drain, Version: ESD, Gate charge: 46nC, кількість в упаковці: 5000 шт.

Інші пропозиції AOC3862

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	AOC3862	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET 2N-CH 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (3.55x1.77)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	AOC3862	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 2.5W; DFN6; common drain Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Power dissipation: 2.5W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD Gate charge: 46nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.