Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOD11S60
AOD11S60

AOD11S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD11S60.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.24 грн
5000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOD11S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOD11S60 за ціною від 67.71 грн до 223.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOD11S60 AOD11S60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD11S60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.88 грн
10+139.90 грн
100+96.60 грн
500+73.29 грн
1000+67.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOD11S60 AOD11S60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoi11s60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD11S60 AOD11S60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoi11s60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD11S60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD11S60.pdf AOD11S60 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.