AOD1N60


AOD1N60.pdf
Код товару: 143592
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції AOD1N60 за ціною від 12.18 грн до 65.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOD1N60 AOD1N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD1N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.24 грн
5000+14.36 грн
7500+13.71 грн
12500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AOD1N60 AOD1N60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD1N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.8A; 45W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.92 грн
25+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AOD1N60 AOD1N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD1N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 15803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.72 грн
10+39.33 грн
100+25.54 грн
500+18.41 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOD1N60 AOD1N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aod1n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD1N60 Виробник : AOS AOD1N60.pdf MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.