Продукція > UMW > AOD4130
AOD4130

AOD4130 UMW

TAOD4130_UMW_0001.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 30A; 52W; -55°C~175°C; AOD4130 TAOD4130
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOD4130 UMW

Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AOD4130 за ціною від 16.24 грн до 108.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AOD4130 AOD4130 HXY TAOD4130_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB; AOD4130-HXY TAOD4130 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 AOD4130 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD4130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.52 грн
25+22.16 грн
56+17.49 грн
152+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 AOD4130 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4130.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.91 грн
7500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 AOD4130 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4130.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
на замовлення 17937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.71 грн
10+65.79 грн
50+49.10 грн
100+41.01 грн
500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 TAOD4130_UMW_0001.pdf
AOD4130
Виробник: HXY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB; AOD4130-HXY TAOD4130 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 AOD4130.pdf
AOD4130
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.52 грн
25+22.16 грн
56+17.49 грн
152+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 AOD4130.pdf
AOD4130
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.91 грн
7500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD4130 AOD4130.pdf
AOD4130
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 30 V
на замовлення 17937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.71 грн
10+65.79 грн
50+49.10 грн
100+41.01 грн
500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.