Технічний опис AOD421 AO
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V.
Інші пропозиції AOD421
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD421 | Виробник : AO |
 SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AOD421 | Виробник : AO |
TO-252 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
AOD421 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |