AOD7S65

AOD7S65 Alpha & Omega Semiconductor


812aou7s65.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOD7S65 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOD7S65 за ціною від 43.27 грн до 101.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 812aou7s65.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 812aou7s65.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7S65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.2 грн
10+ 80.71 грн
100+ 64.22 грн
500+ 51 грн
1000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOD7S65
Код товару: 184626
AOD7S65.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 812aou7s65.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD7S65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; 89W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 89W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.64Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7S65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товар відсутній
AOD7S65 AOD7S65 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD7S65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; 89W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 89W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.64Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній