AOD7S65 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 46.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD7S65 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V.
Інші пропозиції AOD7S65 за ціною від 46.26 грн до 179.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOD7S65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AOD7S65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOD7S65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AOD7S65 Код товару: 184626
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
AOD7S65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
AOD7S65 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; 89W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 89W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.64Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.2nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
AOD7S65 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
AOD7S65 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; 89W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 89W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.64Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.2nC |
товару немає в наявності |