AOD9N50

AOD9N50 Alpha & Omega Semiconductor


aod9n50.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOD9N50 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOD9N50 за ціною від 29.97 грн до 75.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOD9N50 AOD9N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD9N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
AOD9N50 AOD9N50 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD9N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
AOD9N50 AOD9N50 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD9N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOD9N50 AOD9N50 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD9N50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 7259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.4 грн
10+ 59.52 грн
100+ 46.25 грн
500+ 36.79 грн
1000+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4