AOE6932

AOE6932 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BCEA175AF820&compId=AOE6932.pdf?ci_sign=1e1bc9f73f3f181ed093c9b33c573110917b089e Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55/85A
On-state resistance: 5/1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 9.6/20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.16 грн
10+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOE6932 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 24W, 52W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6).

Інші пропозиції AOE6932 за ціною від 50.21 грн до 117.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOE6932 AOE6932 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BCEA175AF820&compId=AOE6932.pdf?ci_sign=1e1bc9f73f3f181ed093c9b33c573110917b089e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55/85A
On-state resistance: 5/1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 9.6/20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.99 грн
10+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOE6932 AOE6932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6932.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+93.57 грн
100+74.52 грн
500+59.18 грн
1000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOE6932
Код товару: 182233
Додати до обраних Обраний товар

AOE6932.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOE6932 AOE6932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoe6932.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOE6932 AOE6932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoe6932.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOE6932 AOE6932 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6932.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 55A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 24W, 52W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.