Технічний опис AOI4126 Alpha & Omega Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 30A, On-state resistance: 24mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 50W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 28nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Mounting: THT, Case: TO251A, кількість в упаковці: 3500 шт.
Інші пропозиції AOI4126
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOI4126 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Case: TO251A кількість в упаковці: 3500 шт |
товар відсутній |
|
 |
AOI4126 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO251A |
товар відсутній |
|
|
|
AOI4126 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Case: TO251A |
товар відсутній |