Технічний опис AOI444 Alpha & Omega Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 10W; TO251A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 9A, Power dissipation: 10W, Case: TO251A, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 3.8nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції AOI444
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AOI444 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 10W; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Power dissipation: 10W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 3.8nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
AOI444 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A TO251A |
товар відсутній |
|
|
|
AOI444 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 10W; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Power dissipation: 10W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 3.8nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |