Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOK40B65H1
AOK40B65H1

AOK40B65H1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BD7128981820&compId=AOK40B65H1.pdf?ci_sign=588bedc38275921e07c2907594a8b3fb04df0319 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.28 грн
3+217.11 грн
5+188.06 грн
14+178.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOK40B65H1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 346 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, Td (on/off) @ 25°C: 41ns/130ns, Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції AOK40B65H1 за ціною від 205.49 грн до 357.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOK40B65H1 AOK40B65H1 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BD7128981820&compId=AOK40B65H1.pdf?ci_sign=588bedc38275921e07c2907594a8b3fb04df0319 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.13 грн
3+270.56 грн
5+225.68 грн
14+213.75 грн
240+205.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H1 AOK40B65H1 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK40B65H1.pdf Description: IGBT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 346 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/130ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.25 грн
10+228.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK40B65H1 AOK40B65H1 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 106aok40b65h1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.