Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOK50B65H1
AOK50B65H1

AOK50B65H1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BDAB426E3820&compId=AOK50B65H1.pdf?ci_sign=896620a2ed95991b4fb00752cdef7adc6a63582f Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 188W; TO247; Eoff: 0.85mJ; Eon: 1.92mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 188W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 111ns
Turn-off time: 206ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Turn-off switching energy: 0.85mJ
Turn-on switching energy: 1.92mJ
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.71 грн
3+224.65 грн
10+201.63 грн
90+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOK50B65H1 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: IGBT 650V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 261 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/141ns, Switching Energy: 1.92mJ (on), 850µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 76 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції AOK50B65H1 за ціною від 223.86 грн до 327.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOK50B65H1 AOK50B65H1 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BDAB426E3820&compId=AOK50B65H1.pdf?ci_sign=896620a2ed95991b4fb00752cdef7adc6a63582f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 188W; TO247; Eoff: 0.85mJ; Eon: 1.92mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 188W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 111ns
Turn-off time: 206ns
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Turn-off switching energy: 0.85mJ
Turn-on switching energy: 1.92mJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.25 грн
3+279.95 грн
10+241.96 грн
90+225.76 грн
240+223.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1 AOK50B65H1 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aok50b65h1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1 AOK50B65H1 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 10aok50b65h1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOK50B65H1 AOK50B65H1 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK50B65H1.pdf Description: IGBT 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 261 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/141ns
Switching Energy: 1.92mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.