AOK9N90 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOK9N90 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 368W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOK9N90
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AOK9N90 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
AOK9N90 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 368W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| AOK9N90 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |