Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AOM065V120X2
AOM065V120X2

AOM065V120X2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DC65334FF3980DE&compId=AOM065V120X2.pdf?ci_sign=123df9098dbbdcfe5c12dd028d47f01b56cda28b Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+951.78 грн
2+736.63 грн
4+696.85 грн
120+685.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOM065V120X2 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 187.5W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 800 V.

Інші пропозиції AOM065V120X2 за ціною від 748.16 грн до 1142.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AOM065V120X2 AOM065V120X2 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOM065V120X2.pdf Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 187.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 800 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1105.31 грн
10+748.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOM065V120X2 AOM065V120X2 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DC65334FF3980DE&compId=AOM065V120X2.pdf?ci_sign=123df9098dbbdcfe5c12dd028d47f01b56cda28b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 62.3nC
On-state resistance: 90mΩ
Drain current: 29.6A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 187.5W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1142.13 грн
2+917.95 грн
4+836.22 грн
120+822.86 грн
240+803.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOM065V120X2 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aom065v120x2.pdf SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.