AOM065V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 187.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 800 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 656.10 грн |
| 10+ | 432.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOM065V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 187.5W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 800 V.
Інші пропозиції AOM065V120X2 за ціною від 702.83 грн до 1099.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOM065V120X2 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 62.3nC On-state resistance: 90mΩ Drain current: 29.6A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 187.5W Drain-source voltage: 1.2kV |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AOM065V120X2 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 62.3nC On-state resistance: 90mΩ Drain current: 29.6A Pulsed drain current: 85A Power dissipation: 187.5W Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
| AOM065V120X2 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |