AOM065V120X2Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 187.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1131.04 грн |
| 10+ | 772.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOM065V120X2Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: 1200V SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 15V, Power Dissipation (Max): 187.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AOM065V120X2Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AOM065V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29.6A Power dissipation: 187.5W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.3nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: tube Pulsed drain current: 85A Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |
| AOM065V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOM065V120X2Q |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29.6A
Power dissipation: 187.5W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.3nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM065V120X2Q |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.