Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AON2240

AON2240 Alpha & Omega Semiconductor

Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-B EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AON2240 Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 20 V.

Інші пропозиції AON2240

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AON2240	Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR	AON2240 SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AON2240	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AON2240	Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.