AON2260

AON2260 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AON2260.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 30 V
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.28 грн
6000+13.52 грн
9000+12.91 грн
15000+11.48 грн
21000+11.10 грн
30000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON2260 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AON2260 за ціною від 16.03 грн до 63.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON2260 AON2260 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2260.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 30 V
на замовлення 33506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.31 грн
10+38.17 грн
100+24.72 грн
500+17.78 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AON2260 AON2260 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON2260.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.7A; 1.8W; DFN2x2B
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2x2B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.