Технічний опис AON2801 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -2A, Power dissipation: 0.73W, Case: DFN6, Gate-source voltage: ±8V, Mounting: SMD, Gate charge: 5nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції AON2801
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AON2801 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.73W Case: DFN6 Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AON2801 |
|
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.73W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2A; 730mW; DFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.73W
Case: DFN6
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.