AON3414 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.31 грн |
| 6000+ | 8.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON3414 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON3414 за ціною від 8.57 грн до 41.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AON3414 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 2W; DFN3x3; ESD Mounting: SMD Case: DFN3x3 Drain current: 8A Drain-source voltage: 30V Version: ESD Gate charge: 15nC On-state resistance: 17mΩ Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AON3414 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; 2W; DFN3x3; ESD Mounting: SMD Case: DFN3x3 Drain current: 8A Drain-source voltage: 30V Version: ESD Gate charge: 15nC On-state resistance: 17mΩ Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AON3414 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
на замовлення 8699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AON3414 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |