Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > AON6144

AON6144

AON6144.pdf
Код товару: 192577
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції AON6144 за ціною від 32.16 грн до 170.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AON6144 AON6144 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6144.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 89A; 31W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 89A
Polarisation: unipolar
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.32 грн
11+40.22 грн
100+37.31 грн
250+35.07 грн
500+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AON6144 AON6144 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6144.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 20 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+105.75 грн
100+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AON6144 AON6144.pdf
AON6144
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 89A; 31W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 89A
Polarisation: unipolar
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.32 грн
11+40.22 грн
100+37.31 грн
250+35.07 грн
500+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AON6144 AON6144.pdf
AON6144
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 20 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.86 грн
10+105.75 грн
100+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Батарейка CR2032 літієва 3V 1шт. EEMB
Код товару: 116969
3 Додати до обраних Обраний товар
CR2032 _210mAh.pdf
Батарейка CR2032 літієва 3V 1шт. EEMB
Виробник: EEMB
Батарейки
Матеріал: літієва (Li-MnO2)
Розмір: CR2032
Напруга, В: 3 В
Примітка: Ємність: 210 mAh
Форма: Таблетка
Ємність, мА·год: 210 мА·год
у наявності: 3656 шт
  • 3595 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.00 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.