AON6262E Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6262E Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AON6262E за ціною від 16.79 грн до 72.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AON6262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AON6262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AON6262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 30 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AON6262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 30 V |
на замовлення 15012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AON6262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AON6262E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 19W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
AON6262E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 19W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |