AON6266E

AON6266E Alpha & Omega Semiconductor


12851291267720460aon6266e.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON6266E Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AON6266E за ціною від 10.82 грн до 63.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AON6266E AON6266E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon6266e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AON6266E AON6266E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon6266e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AON6266E AON6266E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6266E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 10.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 10.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.04 грн
22+ 15.95 грн
25+ 13.87 грн
71+ 11.45 грн
193+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
AON6266E AON6266E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6266E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 10.5W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 10.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.65 грн
14+ 19.88 грн
15+ 16.65 грн
71+ 13.73 грн
193+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
AON6266E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6266E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.18 грн
10+ 31.49 грн
100+ 21.84 грн
500+ 17.12 грн
1000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
AON6266E AON6266E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon6266e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
AON6266E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6266E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V
товар відсутній