Інші пропозиції AON6312 за ціною від 20.63 грн до 121.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON6312 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON6312 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON6312 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD On-state resistance: 1.85mΩ Power dissipation: 20W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Drain current: 83A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AON6312 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AON6312 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.66 грн |
| AON6312 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.81 грн |
| AON6312 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.85mΩ
Power dissipation: 20W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.85mΩ
Power dissipation: 20W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 83A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.32 грн |
| 15+ | 27.56 грн |
| 25+ | 23.93 грн |
| 100+ | 21.79 грн |
| 500+ | 20.63 грн |
| AON6312 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.87 грн |
| 10+ | 74.80 грн |
| 50+ | 56.12 грн |
| 100+ | 47.02 грн |
| 500+ | 37.10 грн |




