Інші пропозиції AON6312 за ціною від 21.25 грн до 125.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON6312 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON6312 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON6312 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 83A Power dissipation: 20W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.85mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AON6312 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AON6312 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.24 грн |
| AON6312 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.39 грн |
| AON6312 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
Power dissipation: 20W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 83A
Power dissipation: 20W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.90 грн |
| 15+ | 28.27 грн |
| 25+ | 24.55 грн |
| 100+ | 22.35 грн |
| 500+ | 21.25 грн |
| AON6312 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.00 грн |
| 10+ | 76.72 грн |
| 50+ | 57.57 грн |
| 100+ | 48.23 грн |
| 500+ | 38.06 грн |




