AON6366E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 34A
Power dissipation: 18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 60.81 грн |
| 12+ | 31.49 грн |
| 13+ | 27.82 грн |
| 32+ | 25.46 грн |
| 88+ | 24 грн |
| 500+ | 23.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6366E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON6366E за ціною від 27.97 грн до 72.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AON6366E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 18W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 18W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AON6366E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
30V N-Channel Alpha MOS |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AON6366E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
30V N-Channel Alpha MOS |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AON6366E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 15 V |
товар відсутній |