Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AON6482
AON6482

AON6482 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BFB1D2235820&compId=AON6482.pdf?ci_sign=148525fe5ebd7c541cd854e81f8f0b99b88e766d Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 25W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 34nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.13 грн
10+51.36 грн
100+46.12 грн
250+43.03 грн
500+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AON6482 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції AON6482 за ціною від 37.21 грн до 131.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AON6482 AON6482 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1BFB1D2235820&compId=AON6482.pdf?ci_sign=148525fe5ebd7c541cd854e81f8f0b99b88e766d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 25W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 34nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.76 грн
10+64.00 грн
100+55.35 грн
250+51.63 грн
500+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AON6482 AON6482 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6482.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.90 грн
10+80.81 грн
100+54.38 грн
500+40.39 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AON6482
Код товару: 207558
Додати до обраних Обраний товар

AON6482.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON6482 AON6482 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon6482.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON6482 AON6482 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aon6482.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AON6482 AON6482 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6482.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.