AON6502 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 32.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6502 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON6502 за ціною від 29.20 грн до 120.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON6502 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 33W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AON6502 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 33W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AON6502 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 15 V |
на замовлення 3874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AON6502 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AON6502 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |