Інші пропозиції AON6884 (корпус 8-DFN-EP)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON6884 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AON6884 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AON6884 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 21A; 8W; DFN5x6 EP2 Case: DFN5x6 EP2 Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A On-state resistance: 11.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 8W Polarisation: unipolar Gate charge: 13.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AON6884 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AON6884 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 21A; 8W; DFN5x6 EP2 Case: DFN5x6 EP2 Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A On-state resistance: 11.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 8W Polarisation: unipolar Gate charge: 13.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |