AON6996 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/38A; 8.3/8.6W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/38A
Power dissipation: 8.3/8.6W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.2/3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/38A; 8.3/8.6W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/38A
Power dissipation: 8.3/8.6W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.2/3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 34.06 грн |
14+ | 28.08 грн |
16+ | 24.85 грн |
39+ | 22.96 грн |
100+ | 22.29 грн |
106+ | 21.76 грн |
500+ | 20.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6996 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, 60A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6).
Інші пропозиції AON6996 за ціною від 25.12 грн до 40.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AON6996 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/38A; 8.3/8.6W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31/38A Power dissipation: 8.3/8.6W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 5.2/3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AON6996 Код товару: 174488 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
AON6996 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 50A/60A 8-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
AON6996 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, 60A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) |
товар відсутній |